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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB0956G-R |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 210K |
| 代理商： | 2SB0956G-R |
2SB1255
2
SJD00064BED
VBE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
ton , tstg , tf IC
Safe operation area
0
160
40
120
80
0
120
100
80
60
40
20
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)Without heat sink
(PC=3W)
(1)
(2)
(3)
0
12
2
10
4
8
6
12
10
8
6
4
2
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
TC=25C
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
–1mA
IB=–2mA
0.1
100
10
1
0.1
1
10
100
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=1000
25C
–25C
TC=100C
0.1
1
10
100
10
1
100
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=1000
TC=–25C
25C
100C
0.01
0.1
1
10
102
103
104
105
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=–5V
TC=100C
25C
–25C
1
10
100
1
1 000
100
10
IE=0
f=1MHz
TC=25C
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
0
16
4
12
8
0.01
0.1
1
10
100
Turn-on
time
t
on
,
Storage
time
t
stg
,
Fall
time
t
f
(
s)
Collector current I
C (A)
tstg
ton
tf
Pulsed tw=1ms
Duty cycle=1%
IC/IB=1000
(–IB1=IB2)
VCC=–50V
TC=25C
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1000
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
t=1ms
ICP
IC
t=10ms
Non repetitive pulse
TC=25C
DC
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB0956G-S | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB0956GS | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB0956G | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1000A | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1000A-AL | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB0956GRL | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 1A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB0956R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 |
| 2SB0956S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 |
| 2SB0968 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Low-Frequency Output Amplification |
| 2SB0968(2SB968) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:パワーデバイス － パワートランジスタ － 汎用電力増幅 |
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