參數(shù)資料
型號(hào): 2SB0956GR
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 210K
代理商: 2SB0956GR
2SB1255
3
SJD00064BED
Rth t
101
1
10
102
104
103
104
103
102
10
1
101
102
103
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
C/W)
Note: Rth was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1)PT=10V
×0.3A(3W) and without heat sink
(2)PT=10V
×1.0A(10W) and with a 100×100×2mm Al heat sink
(1)
(2)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB0956G-R 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB0956G-S 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB0956GS 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB0956G 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1000A SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB0956GRL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 1A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB0956R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
2SB0956S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
2SB0968 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Low-Frequency Output Amplification
2SB0968(2SB968) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:パワーデバイス - パワートランジスタ - 汎用電力増幅