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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1009/QR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | 2SB1009/QR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1189F/QR | 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP |
| 2SB889F/R | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP |
| 2SA1775/NQ | 0.5 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1775/N | 0.5 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB1007/P | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1010 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:TRANSISTORS TO 92L TO-92LS MRT |
| 2SB1010T103Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
| 2SB1011 | 功能描述:TRANS PNP LF 400VCEO .1A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1011QRL | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1012 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
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