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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1020A |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | 2-10R1A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 149K |
| 代理商： | 2SB1020A |
2SB1020A
2004-07-26
4
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
C
olle
ct
or
cur
re
nt
I
C
(A
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
0.03
3
10
30
100
300
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
20
IC max (pulsed)*
10 ms*
1 ms*
100 s*
VCEO max
DC operation
Tc = 25°C
100 ms*
IC max
(continuous)
0
Common emitter
VCE = 3 V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
1
2
3
4
5
6
7
25
Tc = 100°C
50
Pulse width tw (s)
rth – tw
T
ran
si
en
tther
mal
re
si
st
an
ce
r th
(°
C/
W
)
Curves should be applied in thermal limited area.
(single nonrepetitive pulse)
(1) Infinite heat sink
(2) No heat sink
0.001
1000
10
100
0.01
0.1
30
0.3
3
1
100
10
1
0.1
(1)
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SB1020A(F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HFE 2000(min) VCE-3V Vcbo -100V DC -7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1020A_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Triple Diffused Type (Darlington Power) |
| 2SB1021 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR 2-10L1A-80V -7A 40W BCE |
| 2SB1022 | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTOR2-10L1A -60V -7A 40W BCE |
| 2SB1023 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTOR2-10L1A -60V -3A 25W BCE |
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