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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1030AQ |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NS-B1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 454K |
| 代理商： | 2SB1030AQ |
2SB1030A
2
SJC00418AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IE
0
160
40
120
80
0
500
400
300
200
100
Collector
power
dissipation
P C
(mW
)
Ambient temperature Ta (°C)
2SB1030_PC-Ta
0
12
10
8
2
6
4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta = 25°C
9 mA
8 mA
7 mA
6 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
IB = 10 mA
Collector
current
I C
(A
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
2SB1030_IC-VCE
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB = 10
Ta = 25°C
75°C
25°C
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat
)
(V
)
Collector current IC (A)
2SB1030_VBE(sat)-IC
0.01
0.1
1
10
0
600
500
400
300
200
100
VCE = 10 V
Ta = 75°C
25°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h FE
Collector current IC (A)
2SB1030_hFE-IC
0.1
1
10
100
0
160
120
40
80
VCB = 10 V
Ta = 25°C
Tr
ansition
frequency
f T
(MHz
)
Emitter current IE (mA)
2SB1030_fT-IE
1
100
10
0
20
16
12
8
4
IE = 0
f = 1 MHz
Ta = 25°C
Collector-base voltage VCB (V)
2SB1030_Cob-VCB
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
10
100
1000
0
240
200
160
120
80
40
VCE = 10 V
Ta = 25°C
Function = FLAT
4.7 k
Rg = 100 k
22 k
Noise
voltage
NV
(mV
)
Collector current IC (A)
2SB1030_NV-IC
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB = 10
Ta = 75°C
25°C
25°C
Collector
-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat
)
(V
)
Collector current IC (A)
2SB1030_VCE(sat)-IC
Cob VCB
NV IC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1030AS | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1031K | 15 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1032(K) | 10 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1032K-E | 10 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SB1030ARA | 功能描述:TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1030AS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK |
| 2SB1030Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK |
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