參數(shù)資料
型號： 2SB1059-C
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 16K
代理商： 2SB1059-C
2SB1059
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SD1490
Outline
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-92 (1)
3
2
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1063Q 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1063R 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1071Q 4 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1071R 4 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1071P 4 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1061 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Triple Diffused Low Frequency Power Amplifier
2SB1062 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Si PNP Epitaxial Plannar
2SB1063 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:High Power Amplifier Complementary Pair with 2SD1499
2SB10630P 功能描述:TRANS PNP 100VCEO 5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1063P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*