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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1061 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.3 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | 2SB1061 |
2SB1061
5
Hitachi, Ltd.
Semiconductor & IC Div.
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Semiconductor & IC Div.
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Harbour City, Canton Road
Tsim Sha Tsui, Kowloon
Hong Kong
Tel: 27359218
Fax: 27306071
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1061 | 0.3 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1070A | 4 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1070Q | 4 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1070P | 4 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1072S | 4000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1062 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Si PNP Epitaxial Plannar |
| 2SB1063 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:High Power Amplifier Complementary Pair with 2SD1499 |
| 2SB10630P | 功能描述:TRANS PNP 100VCEO 5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1063P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186 |
| 2SB1063Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186 |
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