參數資料
型號: 2SB1061
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 0.3 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220AB, 3 PIN
文件頁數: 2/5頁
文件大小: 33K
代理商: 2SB1061
2SB1061
2
Electrical Characteristics (Ta = 25
GC)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–300
V
I
C = –1 mA, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–300
V
I
C = –10 mA, RBE = B
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–7
V
I
E = –1 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
–10
2AV
CB = –300 V, IE = 0
I
CEO
–10
V
CE = –60 V, RBE = B
Emitter cutoff current
I
EBO
–10
2AV
EB = –5 V, IC = 0
DC current transfer ratio
h
FE1
1000
V
CE = –1.5 V, IC = –20 mA*
1
h
FE2
1500
V
CE = –1.5 V, IC = –100 mA*
1
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
——–1.5
V
I
C = –100 mA, IB = –0.2 mA*
1
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
——–2.0
V
I
C = –100 mA, IB = –0.2 mA*
1
Note:
1. Pulse test.
相關PDF資料
PDF描述
2SB1070A 4 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1070Q 4 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1070P 4 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1072S 4000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1072L 4000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2SB1062 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Si PNP Epitaxial Plannar
2SB1063 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:High Power Amplifier Complementary Pair with 2SD1499
2SB10630P 功能描述:TRANS PNP 100VCEO 5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1063P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186
2SB1063Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186