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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1109 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.1 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-126MOD, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | 2SB1109 |
2SB1109, 2SB1110
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SD1609 and 2SD1610
Outline
1
2
3
TO-126 MOD
1. Emitter
2. Collector
3. Base
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°C)
Ratings
Item
Symbol
2SB1109
2SB1110
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
–160
–200
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
–160
–200
V
Emitter to base voltage
V
EBO
–5
V
Collector current
I
C
–100
mA
Collector power dissipation
P
C
1.25
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–45 to +150
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1110 | 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1109D | 0.1 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1110 | 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1110B | 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1110C | 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1109B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1109C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1109D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1110 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL (LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER) |
| 2SB1110B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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