參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1120-E
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: 2500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PCP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 75K
代理商: 2SB1120-E
2SB1120
No.1786-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=--2V, IC=--500mA
100*
560*
hFE2VCE=--2V, IC=--3A
70
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=--10V, IC=--50mA
250
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--1.5A, IB=--0.15A
--0.25
--0.45
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10μA, IE=0A
--20
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--10
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10μA, IC=0A
--7
V
Output Capacitance
Cob
VCB=--10V, f=1MHz
70
pF
*: The 2SB1120 is classified by 500mA hFE as follows:
Rank
E
F
G
hFE
100 to 200
160 to 320
280 to 560
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7007B-004
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
--5
--4
--3
--2
--1
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IB=0mA
ITR08859
--2mA
--5mA
--30mA
--40mA
--50mA
--60mA
--10mA
--15mA
--20mA
--80mA
--100mA
--150mA
--5
--4
--3
--2
--1
0
--1
--2
--3
--4
--6
--5
IB=0mA
ITR08860
--2mA
--1mA
--5mA
--25mA
--30mA
--40mA
--50mA
--60mA
--100mA
--10mA
--15mA
--20mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1120-F 2500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1120 2500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1120G 2500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1120 2500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1127-S 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1120F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | SOT-89
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2SB1120G 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | SOT-89
2SB1120SF 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
2SB1120TG 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT