參數(shù)資料
型號: 2SB1120G
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 2500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PCP, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 75K
代理商: 2SB1120G
2SB1120
No.1786-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=--2V, IC=--500mA
100*
560*
hFE2VCE=--2V, IC=--3A
70
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=--10V, IC=--50mA
250
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--1.5A, IB=--0.15A
--0.25
--0.45
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10μA, IE=0A
--20
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--10
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10μA, IC=0A
--7
V
Output Capacitance
Cob
VCB=--10V, f=1MHz
70
pF
*: The 2SB1120 is classified by 500mA hFE as follows:
Rank
E
F
G
hFE
100 to 200
160 to 320
280 to 560
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7007B-004
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
--5
--4
--3
--2
--1
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IB=0mA
ITR08859
--2mA
--5mA
--30mA
--40mA
--50mA
--60mA
--10mA
--15mA
--20mA
--80mA
--100mA
--150mA
--5
--4
--3
--2
--1
0
--1
--2
--3
--4
--6
--5
IB=0mA
ITR08860
--2mA
--1mA
--5mA
--25mA
--30mA
--40mA
--50mA
--60mA
--100mA
--10mA
--15mA
--20mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1120 2500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1127-S 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
2SB1127-S 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
2SB1127-T 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
2SB1127-T 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
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參數(shù)描述
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