參數(shù)資料
型號: 2SB1131-R
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: MP, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 35K
代理商: 2SB1131-R
2SB1131
No.2420-2/4
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--3A, IB=--60mA
--250
--500
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--3A, IB=--60mA
--1.0
--1.3
V
Output Capacitance
Cob
VCB=--10V, f=1MHz
60
pF
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0
--25
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
--20
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0
--5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
200
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
10
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2006C
Continued from preceding page.
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : MP
12 3
0.5
0.6
1.45
6.0
4.7
5.0
3.0
1.0
8.5
14.0
VR
RB
VCC=10V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
5
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=2A
--5
--3
--2
--4
--1
0
--0.4
--1.0
--0.8
--0.6
--0.2
IC -- VCE
--10mA
--20mA
--30mA
--40mA
IB=0
ITR08956
0
--2
--6
--5
--4
--1
--3
IC -- VCE
IB=0
ITR08957
From top
--100mA
--90mA
--80mA
--70mA
--60mA
--50mA
--2.0
--1.2
--0.8
--1.6
--0.4
0
--10mA
--12mA
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
Collector
Current,
I C
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
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PDF描述
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2SB926-R 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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