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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1132T100PR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 2SB1132T100PR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1132T100QR | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1134-Q | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1134-R | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1134S | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1134 | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1132T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 1A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1132T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1132T113Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1132T200Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1132-X-AB3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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