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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1132T100Q |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MPT3, SC-62, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | 2SB1132T100Q |
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
Transistors
Rev.B
1/4
Medium Power Transistor (
32V,1A)
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) =
0.2V(Typ.)
(IC / IB =
500mA / 50mA)
2) Compliments 2SD1664 /
2SD1858
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
3
0.2
(15Min.)
4 0.2
2 0.2
0.45
0.5
0.45
5
(1) (2) (3)
0.05
+0.15
0.05
2.5 +0.4
0.1
3Min.
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
2SB1132
2SB1237
2SA1515S
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM :
ATV
1.0
6.8 0.2
2.5 0.2
1.05
0.45 0.1
2.54 2.54
0.5 0.1
0.9
4.4
0.2
14.5
0.5
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
0.3
0.1
+
0.2
0.05
+0.1
0.1
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
4.0
1.0
0.2
0.5
0.1
2.5
3.0 0.2
1.5 0.1
0.4 0.1
0.5 0.1
0.4 0.1
0.4
1.5
4.5
1.6 0.1
Abbreviated symbol: BA
Denotes hFE
+
+
+
+
+
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1132T100P | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1237TU2P | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1132T100/P | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1132T100/R | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1132T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1132T113Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1132T200Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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| 2SB1132-X-TN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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