參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1140S
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝: TO-126ML, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大小: 41K
代理商: 2SB1140S
2SB1140
No.2069–2/4
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BV
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(
E
B
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I
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A
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A
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1
3
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CV
O
B
C
)
R
B
(
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I
,
A
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(
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2
V
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C
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R
B
(
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R
,
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1
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(
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B =∞
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(
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s
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T
d
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c
e
p
s
e
S
0
1s
n
Switching Time Test Circuit
Continued from preceding page.
VR
RB
VCC= --10V
VBE=5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
5
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=--2A
(For PNP, the polarity is reversed.)
--5
--3
--2
--4
--1
0
--0.4
--1.0
--0.8
--0.6
--0.2
IC -- VCE
--10mA
--20mA
--30mA
--40mA
--50mA
IB=0
ITR09005
0
--2
--5
--4
--1
--3
IC -- VCE
IB=0
ITR09006
hFE -- IC
VCE= --2V
ITR09008
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
--0.1
--1.0
3
25
77
3
25
7
3
25
7 --10
--0.01
From top
--100mA
--90mA
--80mA
--70mA
--60mA
--5
--3
--2
--4
--1
0
--10mA
--15mA
--20mA
--25mA
--30mA
--35mA
--40mA
--5mA
VCE= --2V
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
IC -- VBE
ITR09007
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
--0.8
--1.4
--0.4
--1.2
--0.6
--0.2
--1.0
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1140-T 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SB1140-T 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SB1140-S 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SB1149-AZ 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1149-L-AZ 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SB1140-S 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Plastic-Encapsulate Transistors
2SB1140T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-126
2SB1141 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:18V/1.2A Switching Applications
2SB1141Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 1.2A I(C) | TO-126
2SB1141R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 1.2A I(C) | TO-126