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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1181TL/PR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | 2SB1181TL/PR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1766T101R | 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1733F5/PQ | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1870TR/E | 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1182F5/Q | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5115TR | 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1181TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1181TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1182 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS |
| 2SB1182D | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:PNP Silicon General Purpose Transistor |
| 2SB1182G-X-TN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
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