型號: | 2SB1184/P |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 81K |
代理商: | 2SB1184/P |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD1758/PQ | 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1759 | 2000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2318/U | 4500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC5001/R | 15000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SB1184Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252AA |
2SB1184-Q | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Epitaxial Transistors |
2SB1184R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252AA |
2SB1184-R | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Epitaxial Transistors |
2SB1184TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |