參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1185/E
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
封裝： TO-220FP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 129K
代理商： 2SB1185/E
(96-128-B57)
FExternal dimensions (Units: mm)
223
Transistors
Power Transistor (
*60V, *3A)
2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185
FFeatures
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) =
*0.5V (Typ.)
(IC /IB =
*2A / *0.2A)
2) Complements the 2SD1760 /
2SD1864 / 2SD1762.
FStructure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1185D 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
2SB1185/D 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
2SB1185E 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
2SB1187E 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
2SB1187F 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1186 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FP -120V -1.5A 20W BCE
2SB1186A 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:POWER TRANSISTOR
2SB1186AE 功能描述:TRANS DRVR PNP 160V 1.5A TO220FP RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SB1187 制造商:ISC 制造商全稱(chēng):Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors
2SB1187DEF 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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