參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1198L-R-AE3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 244K
代理商： 2SB1198L-R-AE3-R
2SB1198
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R206-040,B
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
-0.2
-2
-1m
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
Figure 1. Grounded Emitter
Propagation Characteristics
-0.4 -0.6 -0.8
-1.4
-1.2
-1.0
-2m
-5m
0
-0.5
0
Collector To Emitter Voltage, VCE (V)
Figure 2. Grounded Emitter
Output Characteristics
-0.1
-0.4
-0.8
-1.6
-2.0
-1.2
-0.2
-0.3
-0.4
IB =0mA
Ta=25℃
-1.0mA
-0.5mA
-10m
-30mA
-45mA
-5.0mA
-1.5mA
-20mA
-25mA
-20m
-50m
-100m
-200m
-500m
-1
-5
-10
VCE = -3V
Ta=25℃
Ta=100℃
Ta= -25℃
-40mA
-35mA
DC
Cu
rre
nt
Ga
in,
h
FE
Co
lle
cto
r
Satu
ra
tion
Vo
ltage
,V
C
E
(sat)
(
V)
Figure 5. Collector-emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current (II)
Collector Current, IC (mA)
-20m
-10m
-50m
-100m
-200m
-10
-100
-500m
-1
Ta= 100℃
IC/IB=10
-2
-1A
Ta= 25℃
Ta= -25℃
Figure 6. Collector-Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current (III)
Collector Current, IC (mA)
-20m
-10m
-50m
-100m
-200m
-10
-100
-500m
-1
Ta= 100℃
IC/IB=20
-2
-1A
Ta= 25℃
Ta= -25℃
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PDF描述
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2SB1201S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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