參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1201
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: TP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 111K
代理商: 2SB1201
Data Sheet D11264EJ1V0DS00
5
2SJ492
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Tch - Channel Temperature - C
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-State
Resistance
-
0
50
0.06
0
50
100
150
ID =
10 A
0.12
0.24
0.18
VGS =
4 V
10 V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
VSD - Source to Drain Voltage - V
ISD
-
Diode
Forward
Current
-
A
0.1
0
1
10
100
1
Pulsed
2
3
VGS =
4 V
VGS = 0 V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
VDS - Drain to Source Voltage - V
Ciss,
Coss,
Crss
-
Capacitance
-
pF
10
0.1
100
1000
10000
1
10
100
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
SWITCHING CHARACTERISTICS
ID - Drain Current - A
td(on)
,t
r,
t
d(off)
,t
f-
Switching
Time
-
ns
1.0
0.1
10
100
1000
1
10
100
VDD =
30V
VGS =
10V
RG = 10
td(off)
td(on)
tr
tf
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
IF - Diode Current - A
trr
-
Reverse
Recovery
Time
-
ns
di/dt = 50 A /
VGS = 0
s
1
0.1
10
1
10
100
1000
100
V
GS
-
Gate
to
Source
Voltage
-
V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
QG - Gate Charge - nC
V
DS
-
Drain
to
Source
Voltage
-
V
0
20
40
60
80
20
40
60
80
2
4
6
8
0
VDD =
48 V
24 V
12 V
VGS
VDS
12
14
10
ID =
16 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1802TP-FA 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1802UTP-FA 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1202RTP-FA 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1202UTP 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1802STP 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1201S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1201S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1201T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1201T-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1202-S 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR