參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1202G-S-T6C-K
廠商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝: HALOGEN FREE, TO-126C, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 261K
代理商: 2SB1202G-S-T6C-K
2SB1202
PNP PLANAR TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R217-005.E
TEST CIRCUIT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1204QTP 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1204TP-FA 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1804TTP-FA 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1804STP-FA 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1204RTP 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1202-S 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1202S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1202S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1202T 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1202T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2