型號(hào): | 2SB1202G-U-TN3-T |
廠商: | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
封裝: | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 1/5頁 |
文件大?。?/td> | 261K |
代理商: | 2SB1202G-U-TN3-T |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SB1202G-R-TN3-T | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
2SB1202G-S-T6C-K | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2SB1204QTP | 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1204TP-FA | 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1804TTP-FA | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SB1202-S | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SB1202S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1202S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1202T | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1202T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |