參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1204RTP
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: TP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 100K
代理商: 2SB1204RTP
2SB1204/2SD1804
No.2086—4/5
--0.1
--1.0
3
25
7
3
25
7
--10
3
25
7
2SB1204
VCE= --5V
f T -- IC
100
3
2
7
5
3
2
5
10
ITR09206
0.1
1.0
3
25
7
3
25
7
10
3
25
7
2SD1804
VCE=5V
f T -- IC
100
3
2
7
5
3
2
5
10
ITR09207
CC
Collector Current, IC —A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
VBE(sat) -- IC
--1.0
--10
5
7
3
5
7
2
3
2
1.0
10
7
5
3
7
5
2
3
2
2SD1667
ITR09212
VBE(sat) -- IC
ITR09213
Ta= --25°C
25°C
2SB1204
IC / IB=20
2SD1804
IC / IB=20
75°C
Ta=75
°C
--25
°C
Ta=75°
C
--25°C
Ta= --25°C
25°C
75°C
VCE(sat) -- IC
--0.1
--0.01
23
5
57
2
3
5 7
7
--1.0
23
5 7 --10
--1000
5
3
2
7
5
3
2
7
--100
--10
VCE(sat) -- IC
ITR09210
ITR09211
0.01
0.1
72
3
5
57
2
3
5 7 1.0
23
5 7 10
--0.1
--0.01
23
5
57
2
3
5 7
7
--1.0
23
5 7 --10
0.01
0.1
72
3
5
57
2
3
5 7 1.0
23
5 7 10
1000
5
3
7
2
5
3
7
2
100
10
25
°C
2SB1204
IC / IB=20
2SD1804
IC / IB=20
25°
C
Cob -- VCB
37
2
1.0
10
53
7
25
7
5
100
ITR09209
2SD1804
f=1MHz
Cob -- VCB
3
2
7
5
3
2
5
100
10
3
2
7
5
3
2
5
100
10
37
2
--1.0
--10
53
7
25
7
5
--100
ITR09208
2SB1204
f=1MHz
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
Collector Current, IC —A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
Collector Current, IC —A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Collector Current, IC —A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Collector Current, IC —A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1204TP-FA 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1804STP 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1204TP 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1204TTP 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1204QTP-FA 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1204S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1204S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1204T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1204T-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1205 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR