參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1204TP-FA
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TP-FA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 100K
代理商： 2SB1204TP-FA
2SB1204/2SD1804
No.2086—2/5
( ) : 2SB1204
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C
C
Electrical Characteristics at Ta = 25C
Tc=25C
Switching Time Test Circuit
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
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d
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0
7*
0
4
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F 2V E
C
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,
V
2
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(
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0
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1
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–
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B
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,
A
0
1
)
–
(
=
E 0
=0
6
)
–
(V
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V
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B
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-
r
o
t
c
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ll
o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
0
5
)
–
(V
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k
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r
B
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t
-
r
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t
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m
EV
O
B
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R
B
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A
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)
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(
=
C 0
=6
)
–
(V
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c
e
p
s
e
S
)
0
5
4
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0
5s
n
e
m
i
T
ll
a
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t
i
u
c
r
i
C
t
s
e
T
d
e
i
f
i
c
e
p
s
e
S0
2s
n
* : The 2SB1204/2SD1804 are classified by 0.5A hFE as follows :
k
n
a
RQ
R
S
T
h E
F
0
4
1
o
t
0
70
0
2
o
t
0
10
8
2
o
t
0
4
10
0
4
o
t
0
2
VR
RB
VCC=25V
VBE= --5V
+
50
INPUT
RL
OUTPUT
100F
470F
PW=20s
IB1
D.C.≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=4A
(For PNP, the polarity is reversed.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1804STP 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1204TP 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1204TTP 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1204QTP-FA 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1204QTP 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1204T-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1205 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1205S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1205S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1205T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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