參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1231-Q
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 25 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 51K
代理商： 2SB1231-Q
2SB1231 / 2SD1841
No.3260-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)100V, IE=0A
(--)0.1
mA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)5V, IC=0A
(--)0.1
mA
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)2.5A
50*
140*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)10A
20
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)10A, IB=(--)1A
(--)0.8
V
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)10A, IB=(--)1A
(--)1.5
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0A
(--)110
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)5mA, RBE=∞
(--)100
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0A
(--)6
V
* : The 2SB1231 / 2SD1841 is classified by 2.5A hFE as follows :
Rank
P
Q
hFE
50 to 100
70 to 140
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7503-003
14.0
15.6
4.8
2.0
20.0
3.5
2.6
1.2
1.3
15.0
3.2
1.4
1.6
1.0
0.6
5.45
12 3
0.6
2.0
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-3PB
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR09393
ITR09394
0--1
--2
--3
--4
--5
0
--8
--4
--12
--16
--20
--24
--28
IB=0A
2SB1231
02
13
4
5
0
8
4
12
20
24
28
16
IB=0A
2SD1841
--
5.0A
5.0A 3.0A
--3.0A --
2.0A
--1.0A
--0.5A
--0.3A
--0.2A
--0.1A
0.5A
0.3A
0.2A
0.1A
2.0A
1.0A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1231-P 25 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1234 200 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1851 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1237TV2/R 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1237TV2Q 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1234-TB-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 80V 50A SOT23
2SB1236ATV2P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1236ATV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1236TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1236TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*