參數(shù)資料
型號： 2SB1240TV2/Q
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ATV, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 147K
代理商： 2SB1240TV2/Q
1/3
www.rohm.com
○
c
2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2010.04 - Rev.C
Medium power transistor (
32V, 2A)
2SB1182 / 2SB1240
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) =
0.5V (Typ.)
(IC/IB =
2A / 0.2A)
2) Complements 2SD1758 / 2SD1862.
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
Absolute maximum ratings (Ta=25
C)
1 Single pulse, Pw=100ms
2 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm2 or larger.
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
PC
Tj
Tstg
40
V
A(DC)
W (Tc
=25
°C)
W
°C
32
5
2
IC
A (Pulse)
3
10
1
1
2
2SB1182
2SB1240
150
55 to 150
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Electrical characteristics (Ta=25
C)
Measured using pulse current.
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
Min.
40
32
5
120
100
50
1
390
0.8
VIC
= 50
μA
IC
= 1mA
IE
= 50
μA
VCB
= 20V
VEB
= 4V
IC/IB
= 2A/ 0.2A
VCE
= 5V, IE=0.5A, f=100MHz
VCB
= 10V, IE=0A, f=1MHz
V
μA
VCE
= 3V, IC= 0.5A
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
0.5
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SB1182
0.1
+0.2
0.1
+0.2
+
0.3
0.1
2.3
±0.2
2.3
±0.2
0.65
±0.1
0.9
0.75
1.0
±0.2
0.55
±0.1
9.5
±
0.5
5.5
1.5
±
0.3
2.5
1.5
2.3
0.5
±0.1
6.5
±0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0.9
2SB1240
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM :
ATV
1.0
6.8
±0.2
2.5
±0.2
1.05
0.45
±0.1
2.54 2.54
0.5
±0.1
0.9
4.4
±
0.2
14.5
±
0.5
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
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PDF描述
2SB1241TV2P 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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