參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1241TV2Q
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ATV, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 89K
代理商： 2SB1241TV2Q
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
Transistors
Rev.B
3/3
Fig.4
Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
Ta
=25°C
IC/IB
=20
1 2
5 10 20 50 100 200 500
2000
1000
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
10
Fig.5
Gain bandwidth product
vs. emitter current
1
2
5
10
20
50 100 200
500 1000
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
EMITTER CURRENT : IE
(mA)
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
Ta
=25
°C
VCE
= 5V
Fig.6
Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
-0.2
0.1
0.5 -1 2
5 10 20 50 100
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
Ta
=25
°C
f
=1MHz
IE
=0A
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
Cob
(pF)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB
(V)
Fig. 7
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
0.1
10
20
0.2
0.5
1
2
200
1000
5
10
500
100
50
Ta
=25
°C
f
=1MHz
IC
=0A
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
Cib
(pF)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB
(V)
Fig.8 Safe operating area
(2SB1260)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
0.5 1
2
5 10 20
50 100
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
Ta
=25°C
Single
nonrepetitive
pulse
IC Max.(Pulse)
IC Max.
P
W
=
10ms
P
W
=100
ms
DC
Fig.9
Safe operating area
(2SB1241)
12
5
0.1 0.2 0.5
10 20 50 100200 5001000
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
10
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
Ta
=25°C
Single
nonrepetitive
pulse
IC Max.(Pulse)
P
W
=
10ms
P
W
=
100ms
DC
Printed circuit board:
1.7 mm thick with collector
copper plating at least 1 cm
2.
0.5
0.2
0.1
1 2
20
10
5
50 100
0.01
0.05
0.02
0.1
0.5
0.2
1
5
2
P
W
=
100ms
Ta
=25°C
Single
nonrepetitive
pulse
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.10 Safe operating area
(2SB1181)
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