參數(shù)資料
型號： 2SB1268-S
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220MF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 41K
代理商： 2SB1268-S
2SB1268/2SD1904
No.2264–2/4
r
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Pl
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V B
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(
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I
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(
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B
A
3
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(
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–
(V
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CV
O
B
C
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R
B
(
IC
I
,
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1
)
–
(
=
E 0
=0
6
)
–
(V
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CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
0
5
)
–
(V
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g
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V
n
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B
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f
i
c
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p
s
e
S2
.
0s
Switching Time Test Circuit
Continued from preceding page.
VR
RB
1
VCC=20V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
10
1
F1F
PW=20
s
IB1
tr, tf
≤15ns
IB2
IC=10IB1= --10IB2=2A
(For PNP, the polarity is reversed.)
100
ITR09475
IC -- VCE
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
2
4
6
8
10
IB=0
ITR09474
IC -- VCE
0
--0.8
--0.4
--1.2
--1.6
--2.0
--2.4
0
--2
--4
--6
--8
--10
IB=0
--100mA
--200mA
2SB1268
2SD1904
--300mA
--400mA
500mA
400mA
300mA
200mA
100mA
50mA
ITR09476
ITR09477
--0.2
0
--0.4
--0.6
--1.0
--1.2
--0.8
--1.4
--8
--9
--6
--7
--10
--4
--5
--3
--2
--1
0
IC -- VBE
0.8
0.2
0
0.4
0.6
1.0
1.4
1.2
2
1
0
10
8
9
6
5
7
4
3
IC -- VBE
2SB1268
VCE= --2V
Ta
=
80
°C
25
°C
--
2
0°
C
Ta
=
80
°C
25
°C
--20
°C
2SD1904
VCE=2V
--500mA
--450mA --350mA
--250mA
--150mA
--50mA
450mA 350mA
250mA
150mA
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1904R 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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2SB1269R-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 7A TO-220MF
2SB1274 制造商:n/a 功能描述:2SB1274 N9H1D
2SB1274R 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1274S 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1275TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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