參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1288
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)
中文描述： 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-92L-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 37K
代理商： 2SB1288
2
Transistor
2SB1288
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–6
–5
–4
–3
–2
–1
Ta=25C
–35mA
–30mA
–25mA
–20mA
–15mA
–10mA
–5mA
–1mA
I
B
=–40mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
–2.0
–1.6
– 0.4
–1.2
– 0.8
0
–12
–10
–8
–6
–4
–2
V
CE
=–2V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
– 0.01
– 0.3
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.1
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=30
Ta=75C
25C
–25C
C
C
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
600
500
400
300
200
100
V
CE
=–2V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
1
3
10
30
100
0
240
200
160
120
80
40
V
=–6V
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
T
T
–1
Collector to base voltage V
CB
(V)
–3
–10
–30
–100
0
200
160
120
80
40
180
140
100
60
20
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
C
o
– 0.1
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
–1
–10
–100
– 0.3
–3
–30
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
Single pulse
Ta=25C
t=10ms
t=1s
I
CP
I
C
C
C
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
Area of safe operation (ASO)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1297 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SB1299 Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)
2SB1314 FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION
2SB1317 Silicon PNP triple diffusion planar type(For high power amplification)
2SB1319 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1290 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1295 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORSC-59 -15V -.8A .2WSURFACE MOUNT
2SB12990P 功能描述:TRANS PNP 60VCEO 3A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1299P 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1301-T2 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*