參數(shù)資料
型號： 2SB1297
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
中文描述： 500 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-92NL-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 37K
代理商： 2SB1297
2
Transistor
2SB1297
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.6
1.2
0.4
1.0
1.4
0.8
0.2
0.6
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–10
–8
–2
–6
–4
0
–1.2
–1.0
– 0.8
– 0.6
– 0.4
– 0.2
Ta=25C
I
B
=–10mA
–1mA
–2mA
–3mA
–4mA
–5mA
–6mA
–7mA
–8mA
–9mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
600
500
400
300
200
100
V
CE
=–10V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=10
Ta=25C
75C
B
B
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=10
25C
Ta=75C
C
C
1
3
10
30
100
0
320
240
80
200
280
160
40
120
V
=–10V
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
T
T
–1
Collector to base voltage V
CB
(V)
–3
–10
–30
–100
0
40
30
10
25
35
20
5
15
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
C
o
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.001
– 0.003
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–10
–30
–10
Single pulse
Ta=25C
t=10ms
t=1s
I
CP
I
C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
h
FE
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
V
CE(sat)
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
Area of safe operation (ASO)
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PDF描述
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2SB1301-T2 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:
2SB1302S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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