參數(shù)資料
型號： 2SB1326TV2/Q
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ATV, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： 2SB1326TV2/Q
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
Transistors
Rev.A
1/4
Low frequency transistor (
20V, 5A)
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) =
0.35V (Typ.)
(IC/IB =
4A / 0.1A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 /
2SD2097.
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SB1386
2SB1326
2SB1412
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM :
ATV
1.0
6.8
±0.2
2.5
±0.2
1.05
0.45
±0.1
2.54 2.54
0.5
±0.1
0.9
4.4
±
0.2
14.5
±
0.5
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
±
0.3
0.1
+
0.2
0.05
+0.1
0.1
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
4.0
1.0
±
0.2
0.5
±
0.1
2.5
3.0
±0.2
1.5
±0.1
1.5
±0.1
0.4
±0.1
0.5
±0.1
0.4
±0.1
0.4
1.5
4.5
1.6
±0.1
0.1
+0.2
0.1
+0.2
+
0.3
0.1
2.3
±0.2
2.3
±0.2
0.65
±0.1
0.9
0.75
1.0
±0.2
0.55
±0.1
9.5
±
0.5
5.5
1.5
±
0.3
2.5
1.5
2.3
0.5
±0.1
6.5
±0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0.9
Denotes hFE
Abbreviated symbol: BH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1329T105 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1329T105R 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1329T105P 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1335A/F 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
2SB1335AE 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1326TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1333 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1333N 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1341 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR TO-220AB -480V -4A 40W BCE
2SB1344 功能描述:TRANS DARL PNP 100V 8A TO-220FP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*