參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1396
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 10 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PCP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 78K
代理商： 2SB1396
2SB1396
No.2911-2/4
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Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=--2V, IC=--0.5A
140*
560*
hFE2VCE=--2V, IC=--3A
70
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=--2V, IC=--0.3A
400
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=--10V, f=1MHz
26
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--1.5A, IB=--30mA
--220
--400
mV
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--1.5A, IB=--30mA
--0.9
--1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10μA, IE=0A
--15
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--10
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10μA, IC=0A
--7
V
*: The 2SB1396 is classified by 0.5A hFE as follows:
Rank
S
T
U
hFE
140 to 280
200 to 400
280 to 560
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7007B-004
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V ITR09638
0
--1
--3
--2
--4
--5
0
--40
--80
--120
--160
--200
ITR09637
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
0
--0.8
--0.4
--1.2
--1.6
--2.0
IB=0mA
--10mA
--8mA
--6mA
--4mA
--2mA
IB=0mA
--0.1mA
--0.2mA
--0.3mA
--0.4mA
--0.5mA
From top
--
16mA
--
14mA
--
12mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1396-U 3 A, 10 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1396S 3 A, 10 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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