參數(shù)資料
型號： 2SB1407(L)D
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2.5 A, 35 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 166K
代理商： 2SB1407(L)D
2SB1407(L)/(S)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
–35
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
–35
V
Emitter to base voltage
V
EBO
–5
V
Collector current
I
C
–2.5
A
Collector peak current
I
C(peak)
–3
A
Collector power dissipation
P
C*
1
18
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–35
—
V
I
C = –1 mA, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–35
—
V
I
C = –10 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–5
—
V
I
E = –1 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
–20
AV
CB = –35 V, IE = 0
DC current transfer ratio
h
FE1*
1
60
—
320
V
CE = –2 V, IC = –0.5 A*
2
h
FE2
20
—
V
CE = –2 V, IC = –1.5 A*
2
Base to emitter voltage
V
BE
—
–1.5
V
CE = –2 V, IC = –1.5 A*
2
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
–1.0
V
I
C = –2 A, IB = –0.2 A*
2
Notes: 1. The 2SB1407(L)/(S) is grouped by h
FE1 as follows.
BC
D
60 to 120
100 to 200
160 to 320
2. Pulse test.
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PDF描述
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2SB1412TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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