參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1412PTL
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CPT3, SC-63, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 186K
代理商： 2SB1412PTL
3/3
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.C
Data Sheet
2SB1412
Fig.10 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current ( )
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V
)
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
1 2
5 10
0.010.02
0.1 0.2 0.5
0.05
2m 5m
0.01
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
5
25
°C
lC/lB
=50
25
°C
Ta
=100°C
Fig.11 Gain bandwidth product
vs. emitter current
EMITTER CURRENT : IE
(mA)
TRANSEITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
1
2
5
10
50 100 200
500
20
50
100
200
500
1 000
10
5
2
1
1000
Ta
=25
°C
VCE
= 6V
Fig.12 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
Cob
(pF
)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB
(V)
0.1 0.2 0.5 1 2
5 10 20 50
1000
500
200
100
50
10
20
Ta
=25
°C
f
=1MHz
IE
=0A
Fig.13 Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
EMITTER
INTPUT
CAPACITANCE
:
Cib
(pF)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB
(V)
10
20
50
100
200
500
1000
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
Ta
=25
°C
f
=1MHz
IC
=0A
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE :
VCE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
0.2 0.5 12
5 10 20
50 100
500
200
50
5
20
2
10
1
200m
100m
50m
20m
10m
500m
100
Fig.14 Safe operation area
F(2SB1412)
DC
Ta
=25°C
Single
nonrepetitive
pulse
Pw
=
10ms
Pw
=
100ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1418AR 2 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1418Q 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1418AP 2 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1418P 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1426T92/QR 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1412TL/Q 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1412TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TRR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*