參數(shù)資料
型號： 2SB1412TR/PR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： 2SB1412TR/PR
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PDF描述
2SD2167T101Q 2000 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1812T101/N 0.5 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1189T101/PQ 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1727TR/N 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5001TR/R 10000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1412TRR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1413 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1413R 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB14140RA 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 1A MT-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1416 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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