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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1449-Q |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SMP-FD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | 2SB1449-Q |
2SB1449 / 2SD2198
No.3149-1/5
Features
Surface mount type device making the following possible.
- Reduction in the number of manufacturing processes for 2SB1449/2SD2198-applied equipment.
- High density surface mount applications.
- Small size of 2SB1449/2SD2198-applied equipment.
Low collector-to-emitter saturation voltage.
Specifications ( ) : 2SB1449
Absolute Maximum Ratings at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
(--)60
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
(--)50
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
(--)6
V
Collector Current
IC
(--)5
A
Collector Current (Pulse)
ICP
(--)9
A
Collector Dissipation
PC
1.65
W
Tc=25
°C30
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)40V, IE=0A
(--)0.1
mA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)0.1
mA
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)1A
70*
280*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)3A
30
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
30
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(160)100
pF
Continued on next page.
* : The 2SBB1449 / 2SD2198 are classified by 1A hFE as follows :
Rank
Q
R
S
hFE
70 to 140
100 to 200
140 to 280
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
Ordering number : EN3149A
71006FA MS IM B-5893 / 41504TN (PC) / O1598HA (KT) / 7039MO, TS
Any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein do not have specifications
that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems,
aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in
serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO Semiconductor representative
nearest you before usingany SANYO Semiconductor products described or contained herein in such
applications.
SANYO Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products
at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition
ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO Semiconductor
products described or contained herein.
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
2SB1449 / 2SD2198
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
High-Current Switching
Applications
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2198 | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2198S | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2198-R | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2198Q | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1449Q | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1449R-DL-E | 制造商:SANYO 功能描述:PNP 50V 5A 70 to 280 SMP-FD Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 5A SOT404 |
| 2SB1453-K-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB1457(T6CANO,F,M | 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SB1457(T6CNO,A,F) | 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SB1457(T6DW,F,M) | 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
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