參數(shù)資料
型號： 2SB1450Q
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SMP-FD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： 2SB1450Q
2SB1450 / 2SD2199
No.3150-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)1A
70*
280*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)5A
30
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
10
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)4A, IB=(--)0.4A
(--)0.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0A
(--)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
0.2
s
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(0.7)0.9
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(0.1)0.3
s
* : The 2SBB1450 / 2SD2199 are classified by 1A hFE as follows :
Rank
Q
R
S
hFE
70 to 140
100 to 200
140 to 280
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7001-002
10.2
8.8
1.5MAX
2.7
9.9
3.0
0.2
1.3
4.5
0.8
1.35
0.4
1.4
1.2
2.55
0 to 0.3
12
3
2.55
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : SMP-FD
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR09695
ITR09696
0
--0.4
--0.6
--0.2
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
--2
--8
--6
--4
--10
--12
0
2
8
6
4
10
12
IB=0mA
--10mA
--20mA
--40mA
--60mA
--80mA
--100mA
--200mA
--400mA
--600mA
--800mA
--1A
2SB1450
0
0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
1.2
1.4
IB=0mA
2SD2199
200mA
400mA
600mA
1A
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
OUTPUT
50
100
1
1
F1F
IC=10IB1= --10IB2=2A
For PNP, the polarity is reversed.
+
RL
RB
VCC=20V
VBE= --5V
VR
INPUT
PW=20
s
tr, tf≤15ns
IB1
IB2
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PDF描述
2SD2199R 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1450R 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1450-R 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2199-R 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1450Q 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SB1457(T6CANO,F,M 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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2SB1457(T6DW,F,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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