參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1451R
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SMP-FD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 52K
代理商： 2SB1451R
2SB1451/2SD2200
No.3151–2/4
Switching Time Test Circuit
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
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CV
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(
E
C
IC
I
,
A
3
)
–
(
=
B
A
3
.
0
)
–
(
=
4
.
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)
5
.
0
–
(V
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V
n
w
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k
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B
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B
-
o
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-
r
o
t
c
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ll
o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
m
1
)
–
(
=
E 0
=0
9
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
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r
B
r
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t
i
m
E
-
o
t
-
r
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t
c
e
ll
o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
0
8
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
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B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
e
t
i
m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
m
1
)
–
(
=
C 0
=6
)
–
(V
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m
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T
N
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7
.
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T
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Ftf
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u
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t
d
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c
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p
s
e
S
)
2
.
0
(s
4
.
0s
Continued from preceding page.
OUTPUT
50Ω
10Ω
1Ω
100μF
470μF
10IB1=--10IB2=IC=2A
For PNP, the polarity is reversed.
+
RL
RB
VCC=50V
VBE=--5V
VR
INPUT
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
IB2
ITR09707
ITR09708
IC -- VCE
0
--0.4
--0.6
--0.2
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
--0.4
--0.6
--0.2
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
--0.5
--2.0
--1.5
--1.0
--3.5
--3.0
--2.5
--4.0
--5.0
--4.5
IB=0
--20mA
--40mA
--60mA
--80
mA
--100mA
IC -- VCE
2SB1451
From top
--200mA
--180mA
--160mA
--140mA
--120mA
0
0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0.5
1.5
1.0
2.5
2.0
3.5
3.0
5.0
4.5
4.0
IB=0
2SD2200 From top
200mA
180mA
160mA
120mA
140mA
ITR09710
IC -- VCE
IB=0
ITR09709
IC -- VCE
0
--2
--1
--6
--5
--3
--4
--8
--7
--9
--10
IB=0
--100mA
2SB1451 From top
--900mA
--800mA
--700mA
--600mA
--500mA
--400mA
--300mA
2SD2200
--200mA
100mA
200mA
300mA
400mA
600mA
500mA
700mA
800mA
900mA
1A
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
0
0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
2
1
6
5
3
4
8
7
9
10
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2206 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD2209P 4 A, 115 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2213 SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2213 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD2215AQ 0.75 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1453-K-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SB1457(T6CANO,F,M 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SB1457(T6CNO,A,F) 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SB1457(T6DW,F,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SB1457(TE6,F,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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