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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1453 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨硅外延高功率晶體管的高速開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 130K |
| 代理商： | 2SB1453 |
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2002
Document No. D16129EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published July 2002 N CP(K)
Printed in Japan
SILICON TRANSISTOR
2SB1453
PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR
FOR HIGH-SPEED SWITCHING
DATA SHEET
The 2SB1453 is a power transistor that can directly drive from
the IC output. This transistor is ideal for motor drivers and solenoid
drivers in such as OA and FA equipment.
In addition, a small resin-molded insulation type package
contributes to high-density mounting and reduction of mounting
cost.
FEATURES
High DC current amplifier ratio
h
FE
≥
100 (V
CE
=
5 V, I
C
=
0.5 A)
Mold package that does not require an insulating board or
insulation bushing
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
60
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
60
V
Emitter to base voltage
V
EBO
7.0
V
Collector current (DC)
I
C(DC)
3.0
A
Collector current (pulse)
I
C(pulse)
*
6.0
A
Base current (DC)
I
B(DC)
1.0
A
Total power dissipation
P
T
(Tc = 25
°
C)
25
W
Total power dissipation
P
T
(Ta = 25
°
C)
2.0
W
Junction temperature
T
j
150
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to +150
°
C
* PW
≤
10 ms, duty cycle
≤
50%
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
Electrode Connection
1. Base
2. Collector
3. Emitter
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