參數(shù)資料
型號： 2SB1467S
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220ML, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 37K
代理商： 2SB1467S
2SB1467/2SD2218
No.3363–3/4
ITR09781
A S O
10ms 1ms
--1.0
3
5
7
2
3
2
3
55
3
77
7
--10
--100
--1.0
3
2
--10
--0.1
ICP=–15A
IC=–8A
DC
operation
ITR09777
VCE(sat) -- IC
5
--0.1
2
--0.01
23
35
--1.0
23
5
2
--10
--0.1
--1.0
5
3
--10
5
--100
5
3
5
2
--0.01
2
3
2
I C
/ I B
=20
I C
/ I B
=10
ITR09780
VBE(sat) -- IC
5
1.0
2
0.1
0.01
23
5
10
32
1.0
5
3
2
10
5
3
100
5
3
2
ITR09778
VCE(sat) -- IC
5
0.1
2
0.01
23
35
1.0
23
5
2
10
0.1
1.0
5
3
10
5
3
5
2
0.01
2
100
5
3
2
ITR09779
VBE(sat) -- IC
5
--1.0
2
--0.1
--0.01
23
5
--10
32
--1.0
5
3
2
--10
5
3
--100
5
3
2
100ms
ITR09782
A S O
1.0
3
5
7
2
3
2
3
55
3
77
7
10
100
1.0
3
2
10
0.1
ITR09775
hFE -- IC
--0.1
--0.01
3
23
5
--1.0
--10
5
23
5
2
100
1000
5
3
2
5
3
2
10
7
5
3
ITR09776
hFE -- IC
0.1
0.01
3
23
5
1.0
10
5
23
5
2
100
1000
5
3
2
5
3
2
10
5
7
3
2SD2218
VCE=2V
2SB1467
VCE= --2V
2SB1467
IC / IB=20
2SD2218
IC / IB=20
2SB1467
2SD2218
I C
/ I B
=20
I C
/ I B
=10
2SB1467
10ms
1ms
ICP=15A
IC=8A
DC
operation
100ms
2SD2218
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
1ms to 100ms : Single pulse
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2218Q 8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1467 8 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1467R 8 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2218R 8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2218 8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1472-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 60V 7A TO-220MF
2SB1474TL 功能描述:達林頓晶體管 DARL PNP 80V 4A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1481(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D
2SB1481(TOJS,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 4A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 6mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 3A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1
2SB14880PA 功能描述:TRANS PNP 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*