參數(shù)資料
型號: 2SB1468-R
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 12 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-220ML, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 37K
代理商: 2SB1468-R
2SB1468/2SD2219
No.3364–3/4
ITR09795
A S O
10ms1ms
--1.0
3
5
2
3
2
3
55
3
777
--10
--100
--1.0
5
3
2
--10
--0.1
ICP=–20A
IC=–12A
DC
operation
ITR09791
VCE(sat) -- IC
5
--0.1
2
--0.01 23
35
--1.0
23
5
2 3
5
--10
--100
--0.1
--1.0
5
3
--10
5
--100
5
3
5
2
--0.01
2
3
2
I C
/ I B
=20
I C
/ I B
=10
ITR09794
VBE(sat) -- IC
5
1.0
2
0.1
0.01
23
5
10
5
100
32 3
1.0
5
7
3
2
10
5
3
100
5
3
2
ITR09792
VCE(sat) -- IC
5
0.1
2
0.01
23
35
1.0
23
5
2 3
5
10
100
0.1
1.0
5
3
10
5
3
5
2
0.01
2
100
5
3
2
ITR09793
VBE(sat) -- IC
5
--1.0
2
--0.1
--0.01
23
5
--10
5
--100
32 3
--1.0
5
7
3
2
--10
5
7
3
--100
5
7
3
2
100ms
ITR09796
A S O
1.0
3
5
2
3
2
3
55
3
77
7
10
100
1.0
5
3
2
10
0.1
ITR09789
hFE -- IC
--0.1
3
23
5
--1.0
--10
55
23
5
2
3
2
100
1000
5
3
2
5
3
2
1.0
10
5
3
2
ITR09790
hFE -- IC
0.1
3
23
5
1.0
10
55
23
5
2
3
2
100
1000
5
3
2
5
3
2
1.0
10
5
3
2
2SD2219
VCE=2V
Pulse
2SB1468
VCE= --2V
Pulse
2SB1468
IC / IB=20
Pulse
2SD2219
IC / IB=20
Pulse
2SB1468
Pulse
2SD2219
Pulse
I C
/ I B
=20
I C
/ I B
=10
2SB1468
10ms1ms
ICP=20A
IC=12A
DC
operation 100ms
2SD2219
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
1ms to 100ms : Single pulse
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2219-R 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2219S 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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2SB1475B44-T1 500 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1475B44-T1 500 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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