參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1468-S
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 12 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-220ML, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 37K
代理商: 2SB1468-S
2SB1468/2SD2219
No.3364–2/4
Switching Time Test Circuit
r
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Pl
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B
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IC
R
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A
m
1
)
(
=
E
B =∞
0
3
)
(V
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S3
0
.
0s
Continued from preceding page.
PW=20
s
D.C.=1%
INPUT
VCC=10V
50
RB
IB1
IB2
100
F
470
F
VBE= --5V
VR
+
RL
2
OUTPUT
10IB1= --10IB2=IC=5A
1
100
ITR09787
IC -- VBE(on)
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
--8
--4
--12
--20
--24
--16
2SB1468
VCE= --2V
Pulse
ITR09788
IC -- VBE(on)
0
0.2
0.4
0.8
0.6
1.0
1.2
1.4
0
4
8
12
16
20
24
2SD2219
VCE=2V
Pulse
ITR09785
IC -- VCE
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
IB=0
--50mA
ITR09786
IC -- VCE
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IB=0
--200mA
--100mA
--150mA
2SB1468
Pulse
From top
--500mA
--450mA
--400mA
--350mA
--300mA
--250mA
50mA
200mA
100mA
150mA
2SD2219
Pulse
From top
500mA
450mA
400mA
350mA
300mA
250mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE(ON) – V
Collector
Current,
I C
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
A
Collector
Current,
I C
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1468-R 12 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2219-R 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2219S 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1475B42-A 500 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1475B44-T1 500 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SB1474TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL PNP 80V 4A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1481(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D
2SB1481(TOJS,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 4A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 6mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):2μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 3A,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SB14880PA 功能描述:TRANS PNP 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR