參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1468R
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220ML, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 37K
代理商： 2SB1468R
2SB1468/2SD2219
No.3364–2/4
Switching Time Test Circuit
r
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t
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a
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Pl
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b
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B
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I
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–
(
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6
)
–
(V
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V
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CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
0
3
)
–
(V
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V
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e
S3
0
.
0s
Continued from preceding page.
PW=20
s
D.C.=1%
INPUT
VCC=10V
50
RB
IB1
IB2
100
F
470
F
VBE= --5V
VR
+
RL
2
OUTPUT
10IB1= --10IB2=IC=5A
1
100
ITR09787
IC -- VBE(on)
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
--8
--4
--12
--20
--24
--16
2SB1468
VCE= --2V
Pulse
ITR09788
IC -- VBE(on)
0
0.2
0.4
0.8
0.6
1.0
1.2
1.4
0
4
8
12
16
20
24
2SD2219
VCE=2V
Pulse
ITR09785
IC -- VCE
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
IB=0
--50mA
ITR09786
IC -- VCE
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IB=0
--200mA
--100mA
--150mA
2SB1468
Pulse
From top
--500mA
--450mA
--400mA
--350mA
--300mA
--250mA
50mA
200mA
100mA
150mA
2SD2219
Pulse
From top
500mA
450mA
400mA
350mA
300mA
250mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE(ON) – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector
Current,
I C
–
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2219S 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1468S 12 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2219Q 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2219R 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1468-S 12 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1472-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 60V 7A TO-220MF
2SB1474TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL PNP 80V 4A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1481(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D
2SB1481(TOJS,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 4A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 6mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 3A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SB14880PA 功能描述:TRANS PNP 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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