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參數資料
| 型號： | 2SB1488 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP triple diffusion planer type(For power switching) |
| 中文描述： | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MT-2-A1, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | 2SB1488 |
1
Transistor
2SB1488
Silicon PNP triple diffusion planer type
For power switching
I
Features
G
High foward current transfer ratio h
FE
.
G
High-speed switching.
G
High collector to base voltage V
CBO
.
G
Allowing supply with the radial taping.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
MT2 Type Package
2.5
±
0.1
4
±
0
1
±
0
2.5
±
0.5
2.5
±
0.5
2
±
0
6.9
±
0.1
1.05
±
0.05
(1.45)
4.0
0.7
0.8
0
0
0
1
1
0.65 max.
0.45
+0.1
0
+
–
3
2
1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
–400
–400
–7
–1
– 0.5
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Collector current fall time
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
CEO
I
EBO
V
CEO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
t
on
t
stg
t
f
C
ob
Conditions
V
CB
= –400V, I
E
= 0
V
CE
= –100V, I
B
= 0
V
BE
= –5V, I
C
= 0
I
C
= –1mA, I
B
= 0
V
CE
= –5V, I
C
= –50mA
V
CE
= –5V, I
C
= –300mA
*2
I
C
= –100mA, I
B
= –10mA
*2
I
C
= –100mA, I
B
= –10mA
*2
V
CB
= –10V, I
E
= 0.1A, f = 1MHz
*2
I
C
= –100mA, R
L
= 1.5k
I
B1
= –10mA, I
B2
= 10mA
V
CC
= –150V
V
CB
= –10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–400
80
10
typ
– 0.25
– 0.8
25
0.4
5.5
0.5
20
max
–1
–1
–1
280
– 0.5
–1.2
1.0
6.5
1.0
40
Unit
μ
A
μ
A
μ
A
V
V
V
MHz
μ
s
μ
s
μ
s
pF
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
P
Q
h
FE1
80 ~ 160
130 ~ 280
*2
Pulse measurement
1.2
±
0.1
0.65
0.45
0.1
+
–
Note: In addition to the
lead type shown in
the upper figure, the
type as shown in
the lower figure is
also available.
(HW type)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SB1502 | Silicon PNP epitaxial planar type Darlington |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SB1495(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D |
| 2SB1495,Q(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.5mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
| 2SB1495,Q(M | 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.5mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
| 2SB15040QA | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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