參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1488P
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-2-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 239K
代理商： 2SB1488P
Transistors
1
Publication date: January 2003
SJC00090BED
2SB1488
Silicon PNP triple diffusion planar type
For power switching
■ Features
High forward current transfer ratio h
FE
High-speed switching
High collector-base voltage (Emitter open) V
CBO
Allowing supply with the radial taping
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
400
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
400
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
7V
Collector current
IC
0.5
A
Peak collector current
ICP
1A
Collector power dissipation *
PC
1W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC
= 1 mA, I
B
= 0
400
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 400 V, IE = 0
1
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE = 100 V, IB = 0
1
A
Emitter-base cutoff current (Collector open)
IEBO
VEB
= 5 V, I
C
= 0
1
A
Forward current transfer ratio
hFE1 *
VCE = 5 V, IC = 50 mA
80
280
hFE2
VCE = 5 V, IC = 300 mA
10
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC
= 100 mA, I
B
= 10 mA
0.25 0.50
V
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.8
1.2
V
Transition frequency
fT
VCB = 10 V, IE = 0.1 A, f = 200 MHz
25
MHz
Turn-on time
ton
IC
= 100 mA, R
L
= 1.5 k
0.4
1.0
s
Storage time
tstg
IB1 = 10 mA, IB2 = 10 mA
5.5
6.5
s
Fall time
tf
VCC = 150 V
0.5
1.0
s
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
20
40
pF
(Common base, input open circuited)
Rank
P
Q
hFE1
80 to 160
130 to 280
6.9±0.1
2.5±0.1
0.45
1.05±0.05
2.5±0.5
123
2.5±0.5
+0.10
–0.05
0.45
+0.10
–0.05
(0.8)
(0.5)
(1.0)
4.5
±
0.1
14.5
±
0.5
4.0
0.7
0.65 max.
(0.2)
Unit: mm
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MT-2-A1 Package
Note) *: Print circuit board: Copper foil area of 1 cm2 or more, and the board
thickness of 1.7 mm for the collector portion
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SB15040QA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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