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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1578-GB1 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | 2SB1578-GB1 |
Data Sheet D16147EJ1V0DS
2
2SB1578
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB =
50 V, IE = 0
10
A
Emitter cutoff current
IEBO
VEB =
6.0 V, IC = 0
10
A
DC current gain
hFE1
VCE =
1.0 V, IC = 0.1 A
60
220
DC current gain
hFE2
VCE =
1.0 V, IC = 2.0 A
100
200
400
DC current gain
hFE3
VCE =
2.0 V, IC = 5.0 A
50
150
Collector saturation voltage
VCE(sat)
IC =
2.0 A, IB = 0.2 A
180
300
mV
Base saturation voltage
VBE(sat)
IC =
2.0 A, IB = 0.2 A
0.9
1.2
V
Turn-on time
ton
0.6
s
Storage time
tstg
0.55
s
Fall time
tf
IC =
2.0 A, VCC = 10 V
IB1 =
IB2 = 0.2 A
RL = 5.0
0.05
s
hFE CLASSIFICATION
Marking
GB1
GB2
GB3
hFE2
100 to 200
160 to 320
200 to 400
TYPICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
6LQJOHSXOVH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1578-GB1-AZ | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1578-GB2 | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1578-AZ | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1578-GB3-AZ | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1578-AZ | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1578-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 5A 4-Pin(3+Tab) MP-2 T/R Cut Tape |
| 2SB1578-T1-AZ-GB1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB1578-T1-AZ-GB2 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB1580 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1580T100 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL PNP 100V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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