參數(shù)資料
型號： 2SB1640
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
中文描述： 東芝硅晶體管進步黨三漫射型
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： 2SB1640
2SB1640
2004-07-26
2
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Collector current I
C
(A)
h
FE
– I
C
D
F
Collector current I
C
(A)
V
CE (sat)
– I
C
C
V
C
(
Base-emitter voltage V
BE
(V)
I
C
– V
BE
0
0
Common emitter
Ta = 25°C
3.0
0.5
2.0
3
4
6
5
30
100
50
70
90
80
20
IB =
10 mA
60
2
1
1.0
1.5
2.5
40
Common emitter
VCE =
5 V
0
3
2
0.8
1.2
2.0
Ta = 100°C
25
1.6
0.4
0
1
25
Ta = 100°C
Common emitter
IC/IB = 10
2
0.05
0.1
0.3
0.5
1
0.03
0.03
0.1
1
5
3
0.3
0.01
25
25
0.01
0.03
100
Common emitter
VCE =
5 V
30
50
500
0.1
1
5
25
25
Ta = 100°C
3
0.3
0.01
300
10
5
1000
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