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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1659 |
| 廠商： | SANKEN ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor（Darlington）(硅PNP外延平面晶體管（達林頓）) |
| 中文描述： | 6 A, 110 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | MT25, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 22K |
| 代理商： | 2SB1659 |
57
h
FE
Rank O(5000to12000), P(6500to20000), Y(15000to30000)
Darlington
2S B1659
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
(Complement to type 2SD2589)
Application :
Audio, Series Regulator and General Purpose
External Dimensions
MT-25(TO220)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SB1659
–110
–110
–5
–6
–1
50(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
OB
2SB1659
–100
max
–100
max
–110
min
5000
min
–2.5
max
–3.0
max
100
typ
110
typ
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=–110V
V
EB
=–5V
I
C
=–30mA
V
CE
=–4V, I
C
=–5A
I
C
=–5A, I
B
=–5mA
I
C
=–5A, I
B
=–5mA
V
CE
=–12V, I
E
=0.5A
V
CB
=–10V, f=1MHz
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
–30
R
L
(
)
6
I
C
(A)
–5
V
(V)
5
I
(mA)
5
t
on
(
μ
s)
1.1typ
t
stg
(
μ
s)
3.2typ
t
f
(
μ
s)
1.1typ
I
(mA)
–5
V
(V)
–10
B
E
2.5
2.5
C
1
±
1
4
8
±
1.35
0.65
+0.2
-0.1
10.2
±0.2
3.75
±0.2
3
±
4.8
±0.2
1.4
2.0
±0.1
a
b
Weight : Approx 2.0g
a. Type No.
b. Lot No.
B
E
C
(70
)
Equivalent circuit
C
C
(
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
–mA
0
0
–2
–4
–6
–2
–6
–4
I
B
=–0.1mA
–m
–0.5mA
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
0
–3
–2
–1
–1
–0.5
–10
–5
–100
–50
–5A
I
C
=–3A
0
–6
–4
–2
0
–3
–2
–1
(V
CE
=–4V)
–0.02
–0.05 –0.1
–1
–0.5
–6
–5
(V
CE
=–4V)
500
200
10000
40000
1000
5000
Typ
(V
CE
=–4V)
–0.02
–0.1
–0.05
–0.5
–6
–5
–1
100
5000
10000
500
1000
50000
25C
–30C
125C
0.02
0.1
0.05
0.5
1
5 6
60
40
0
20
100
120
80
(V
CE
=–12V)
Typ
50
40
30
20
10
2
00
25
50
75
100
125
150
0.4
1
5
0.5
1
10
100
1000
2000
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Temperature
Characteristics
(Typical)
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
V
CE
(sat)–I
B
Characteristics
(Typical)
Pc–Ta Derating
Safe Operating Area
(Single Pulse)
θ
j-a
–t
Characteristics
f
T
–I
E
Characteristics
(Typical)
15 aeep
2CCeep
Collector Current I
C
(A)
Collector Current I
C
(A)
Time t(ms)
D
F
D
F
T
θ
j
(
C
T
(
Z
)
Emitter Current I
E
(A)
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
Base Current I
B
(mA)
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
C
C
(
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PDF描述 |
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| 2SB1679G0L | 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1682(Q) | 功能描述:達林頓晶體管 PNP 160V 2A Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1689T106 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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