參數(shù)資料
型號： 2SB1667(SM)-O
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-10S2, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： 2SB1667(SM)-O
2SB1667(SM)
2009-12-21
2
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 60 V, IE = 0
―
100
μA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
―
100
μA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 50 mA, IB = 0
60
―
V
hFE (1)
(Note 2)
VCE = 5 V, IC = 0.5 A
60
―
300
DC current gain
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 3 A
20
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 3 A, IB = 0.3 A
―
0.5
1.7
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 5 A, IC = 0.5 A
―
0.7
1.0
V
Transition frequency
fT
VCE = 5 V, IC = 0.5 A
―
9
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
150
―
pF
Turn-on time
ton
―
0.4
―
Storage time
tstg
―
1.7
―
Switching time
Fall time
tf
IB1 = 0.2 A,IB2 = 0.2 A,
duty cycle ≤ 1%
―
0.5
―
μs
Note 2: hFE (1) classification O: 60 to 120, Y: 100 to 200, GR: 150 to 300
Marking
Note 3: A line under a Lot No. identifies the indication of product Labels.
Not underlined: [[Pb]]/INCLUDES > MCV
Underlined: [[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]
Please contact your TOSHIBA sales representative for details as to environmental matters such as the RoHS
compatibility of Product. The RoHS is the Directive 2002/95/EC of the European Parliament and of the Council of 27
January 2003 on the restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment.
Lot No.
Note 3
B1667
Characteristics
indicator
Part No. (or abbreviation code)
I B1
20 μs
VCC = 30 V
Output
15
Ω
IB2
IB1
Input
I B2
相關PDF資料
PDF描述
2SB1679R 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1679S 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1683E 12 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1683 12 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1685Y 6 A, 110 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2SB167900L 功能描述:TRANS PNP LF 10VCE0 1.0A S-MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SB1689T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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