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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1667(SM)-Y |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-10S2, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | 2SB1667(SM)-Y |
2SB1667(SM)
2009-12-21
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
2SB1667(SM)
Audio Frequency Power Amplifier Applications
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.7 V (max)
(IC = 3 A, IB = 0.3 A)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
60
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
Collector current
IC
3
A
Base current
IB
0.5
A
Ta = 25°C
1.5
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
25
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note1: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-10S2A
Weight: 1.4 g (typ.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1667(SM)-O | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1679R | 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1679S | 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1683E | 12 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1683 | 12 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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